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半浮柵晶體管或引發芯片材料革命

據媒體報道，復旦大學微電子學院張衛教授課題組研發出一種半浮柵晶體管，采用該材料的芯片將具有高密度和低功耗的優勢。分析人士認為，作為我國微電子領域的重大技術突破，此項科研成果有望進一步提升我國在芯片領域的話語權，但從產業鏈觀察，和之前多項芯片技術面臨的難題一樣，芯片企業多由外國把持，如何把技術轉化為產能是未來需要亟待解決的問題。魚和熊掌兼得傳統意義上的電腦和智能手機的芯片均是由晶體管組成，目前晶體管的材料主要有MOS晶體管和浮柵晶體管兩種，兩種材料可謂各有千秋。MOS晶體管適合完成高速運算，但運算時溫度極高，且一斷電所有的運算數據將全部丟失；浮柵晶體管的結構域MOS相比多瞭一層多晶矽材料(浮柵層),浮柵晶體管運算速度比MOS要低不少，但其優勢在於斷電後數據仍可以保存。業內人士表示，目前需要大量運算但對運算要求較高的如CPU和GPU領域多使用MOS晶體管，但結果是必要配備電扇以降溫，否則元器件極易損壞，而內存、閃存和固態硬盤等對數據存儲和溫度存在硬性要求的產品多使用浮柵晶體管。此次復旦大學的科研成果，有望終結芯片領域魚和熊掌不可兼得的現狀，使用半浮柵晶體管芯片的速度將有提升，根據科研負責人的說法，使用半浮柵晶體管的銀行房貸信貸利率缺錢急用哪裡借錢芯片運算速度將在浮柵晶體管的芯片的1000倍左右；而使用半浮柵晶體管結構的CPU其緩存面積將縮小9成；用在內存中運算速度將提高到1至2倍。從結構上看，半浮柵晶體管結構與浮柵晶體管相比多瞭一層隧穿晶體管來控制電流，這將節省到諸如電容等零部件給拘泥於方寸之間芯片設計帶來更多的寶貴空間。8月9日，美國《科學》雜志率先刊發瞭該研究成果。這是我國科學傢首次在該雜志上發表微電子器件領域的論文，分析人士認為，芯片上遊領域作為一個極為尖端的高科技領域，取得如此的突破性實屬難能可貴，這將提升中國在全球芯片行業的話語權。產業化路仍較長就市場來看，據估算，目前CPU、內存、數碼相機感光器件的芯片的市場規模就在千億美元左右。在復旦大學公佈此項重大科研成果後，業內人士對產業化問題頗為關心，但從目前的情況來看，由於上遊多屬於外國企業，半浮柵晶體管芯片恐仍有較長的道路要走。據瞭解，復旦大學目前已對此技術申請瞭核心技術專利，但後期的應用設計工作仍需要企業來完成。目前全球芯片市場主要被外國壟斷，如Intel、高通、ARM等外國企業占據瞭芯片市場的大部分芯片市場份額。分析人士認為，如何將此項由中國自主掌握的尖端技術做好相應配套，由技術轉化為實際產能仍需要產業鏈下遊積極配合，但從目前來看，我國在此中遊領域與國外相房子信用貸款利率貸款全省皆可處理比較為薄弱，短期內產業化將面臨較大的不確定性。

新聞來源http://news.hexun.com/2013-08-13/157026990.html
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